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我國(guó)IC制造與先進(jìn)水平鴻溝加寬(半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)9.9)

time:2016-7-20 瀏覽次數(shù):15292次    【關(guān)閉】

  近日,有消息稱受英特爾與三星等競(jìng)爭(zhēng)壓力所致,國(guó)際ic代工制造龍頭臺(tái)積電將加快先進(jìn)工藝開發(fā)量產(chǎn)步伐,除加速南科廠16納米產(chǎn)能布建之外,還將加快10納米生產(chǎn)線的建設(shè),計(jì)劃于明年下半年完成10納米的產(chǎn)品設(shè)計(jì),2016年下半年量產(chǎn)。隨著集成電路工藝逐漸接近物理極限,技術(shù)難度加大,摩爾定律一度逐漸減慢,這也在一定程度上給了我國(guó)ic產(chǎn)業(yè)追趕國(guó)際先進(jìn)水平的機(jī)會(huì)。然而,受到競(jìng)爭(zhēng)加劇影響,業(yè)內(nèi)龍頭大廠在先進(jìn)制程推進(jìn)上似乎又有重新加速的跡象。這是否將導(dǎo)致我國(guó)大陸ic代工制造水平與國(guó)際先進(jìn)水平之間的差距進(jìn)一步拉大呢?

  根據(jù)臺(tái)積電在近日舉辦的法說(shuō)會(huì)上發(fā)布的技術(shù)路線圖,臺(tái)積電16納米工藝預(yù)計(jì)在明年第一季度拉升至每月5萬(wàn)片,由此量產(chǎn)時(shí)程可望提前至明年第二季度,比預(yù)定時(shí)間提前一個(gè)季度;10納米工藝從2013年開始進(jìn)行技術(shù)開發(fā),計(jì)劃明年第一季度于中科廠建置10納米試產(chǎn)線,量產(chǎn)時(shí)程則落在2016年下半年。不過(guò)受制于euv技術(shù)的輸出率仍未達(dá)到量產(chǎn)需求,屆時(shí)10納米工藝仍將采用多重曝光的方式,并集中于12英寸晶圓廠生產(chǎn)。

  集成電路芯片制造業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的核心主體,大力發(fā)展集成電路芯片制造業(yè)一直是我國(guó)推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)的重要方向之一。一直以來(lái),在先進(jìn)工藝方面,我國(guó)大陸制造技術(shù)與先進(jìn)水平的差距大體相差2代。目前,中芯國(guó)際最先進(jìn)的制造技術(shù)為40納米,與國(guó)際先進(jìn)水平相差1.5代,實(shí)際已經(jīng)追近了一步,至少是沒有被落下。而中芯國(guó)際的28納米工藝有望于今年年底進(jìn)行試量產(chǎn),明年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這樣,與臺(tái)積電仍將保持1.5代到2代的差距(將視臺(tái)積電16納米工藝量產(chǎn)是否順利而定)。同時(shí),中芯國(guó)際也在開發(fā)14納米、10納米的工藝技術(shù),根據(jù)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2016年到2017年可實(shí)現(xiàn)14納米的工藝開發(fā),順利的話可能進(jìn)行試產(chǎn)。這樣算來(lái),并沒有與先進(jìn)水平拉大差距。

  其實(shí),ic制造的競(jìng)爭(zhēng)不僅表現(xiàn)在先進(jìn)工藝的開發(fā)與量產(chǎn)上,僅僅是因?yàn)樗俗⒛?。?shí)際上,我國(guó)ic制造的弱勢(shì)更多存在于設(shè)計(jì)服務(wù)能力和支持體系的不完善之上。隨著技術(shù)的發(fā)展,當(dāng)前ic設(shè)計(jì)、制造、ena工具,甚至是封裝的工藝流程,有越來(lái)越多相互融合的趨勢(shì),衡量ic制造業(yè)實(shí)力強(qiáng)弱的重點(diǎn)越來(lái)越多地體現(xiàn)在企業(yè)是否能夠建立起完整的設(shè)計(jì)服務(wù)和支持體系,是否能夠充分進(jìn)行ip核的研發(fā)以滿足工藝開發(fā)需求,甚至更高地建立在對(duì)設(shè)計(jì)方法學(xué)的理解程度之上。而國(guó)內(nèi)很多ic制造廠在這些方面都存在明顯不足。這些軟硬實(shí)力的補(bǔ)足,才是我國(guó)ic制造企業(yè)下一步亟須強(qiáng)化的重點(diǎn)。

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